Method for manufacturing semiconductor device

半導体装置の製造方法

Abstract

(57)【要約】 【課題】 CSPと呼ばれる半導体装置において、柱状 電極の上面に形成される酸化防止用の表面処理層の柱状 電極の上面に対する接合強度を強くする。 【解決手段】 ウエハ21上の接続パッド22の上面か ら絶縁膜23の上面の所定の箇所にかけて再配線31が 形成され、再配線31の先端部の上面に柱状電極29が 形成されている。また、ダイシングストリート26に対 応する領域に格子状の補助配線32が形成されている。 この場合、補助配線32は接続線33を介して再配線3 1に接続されている。そして、封止膜34を形成した後 に、補助配線32、接続線33及び再配線31をメッキ 電流路として電解メッキを行うことにより、柱状電極2 9の上面に酸化防止用の表面処理層35を形成する。こ の表面処理層35の柱状電極29の上面に対する接合強 度は、単なる無電解メッキによって形成する場合と比較 して、強くなる。
PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance junction strength for an upper surface of a columnar type electrode of the surface processing layer, for preventing oxidation to be formed on the surface of the column type electrode in a semiconductor device called a CSP. SOLUTION: Re-wiring 31 is formed toward a prescribed area of the upper surface on an insulation film 23, from the upper surface of a connection pad 22 on a wafer 21 and a columnar type electrode 29 is formed on the upper surface of the end portion of the re-wiring 31. Moreover, a latticetype auxiliary wiring 32 is formed to the area corresponding to a dicing street 26. In this case, the auxiliary wiring 32 is connected with the re-wiring 31 via the connection line 33. After a sealing film 34 is formed, a surface-processing layer 35 for preventing oxidation is formed on the upper surface of the column type electrode 2, by conducting electrolytic plaing using the auxiliary wiring 32, connection line 33 and re-wiring 31 as the plating current path. The junction strength for the upper surface of the columnar type electrode 29 of this surface processing layer 35 can be enhanced, in comparison to that when the surface processing layer 35 is formed only with the non-electrolytic plating.

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