半導体発光装置,光ヘッド装置及び光ディスク装置

Semiconductor light emitting device, optical head device and optical disc drive

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light emitting device, an optical head device and an optical disc drive having an arrangement for suppressing occurrence of kink in the low temperature I-L characteristics of a semiconductor light emitting element. SOLUTION: The semiconductor light emitting device 41 comprises a semiconductor laser 12, a photodetector 62 serving as a sub-mount for mounting the semiconductor laser 12, and a heating part 85 for the semiconductor laser 12 mounted on the photodetector 62. When the ambient temperature of the semiconductor laser 12 falls within a temperature range where a kink appears in the low temperature I-L characteristics of the semiconductor laser 12, the semiconductor laser 12 can be heated by conducting the heating part 85. The heating part 85 may comprises an impurity diffused region in a semiconductor substrate or a doped polysilicon film. The heating part 85 is preferably disposed below the semiconductor laser 12 while sandwiching a heat dissipation layer 72 and an insulation layer 9. COPYRIGHT: (C)2001,JPO
(57)【要約】 【課題】 半導体発光素子の低温I−L特性におけるキ ンクの発生を抑制するための構成を備えた半導体発光装 置,光ヘッド装置及び光ディスク装置を提供する。 【解決手段】 半導体発光装置41は、半導体レーザ1 2と、半導体レーザ12を載置するためのサブマウント である光検出器62と、光検出器62に配置され、半導 体レーザ12を加熱するための加熱部85とを備えてい る。半導体レーザ12の周囲温度が半導体レーザ12の 低温I−L特性におけるキンクが発生する温度範囲にあ る場合には、加熱部85に通電して半導体レーザ12を 加熱しうる。加熱部85は、半導体基板中の不純物拡散 領域かドープトポリシリコン膜かにより構成することが できる。加熱部85は、放熱層72と絶縁層9とを挟ん で半導体レーザ12の下方に配置されていることが好ま しい。

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